Госконтракты ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "НАУЧНО-ПРОИЗВОДСТВЕННОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ "ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ИННОВАЦИИ", Москва
ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "НАУЧНО-ПРОИЗВОДСТВЕННОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ "ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ИННОВАЦИИ"
Действует
Найдены сведения об участии ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "НАУЧНО-ПРОИЗВОДСТВЕННОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ "ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ИННОВАЦИИ" в 8 государственных контрактах на сумму 14,355 млн. руб. в качестве поставщика.
24 ноября 2016 г.
- 44-ФЗ
- 1770100252016000428
Поставщик
СЧ ПНИ по теме «Разработка научно-технических решений по созданию устройств для безопасного хранения тромбоцитосодержащих трансфузионных сред с применением систем термостабилизации на основе полупроводниковых термоэлектрических элементов и информационного обеспечения мониторинга процесса хранения»
24 ноября 2016 г.
- 44-ФЗ
- 1770100252016000429
Поставщик
СЧ ПНИ по теме "Разработка научно-технических решений повышения надежности МИС СВЧ МШУ"
15 ноября 2016 г.
- 44-ФЗ
- 1770100252016000410
Поставщик
СЧ ПНИ по теме "Разработка научно-технических решений повышения надежности HEMT Gan транзисторов"
14 декабря 2015 г.
- 44-ФЗ
- 1770100252015000607
Поставщик
Разработка научно-технических решений устройства для безопасного хранения тромбоцитосодержащих трансфузионных сред
3 декабря 2015 г.
- 44-ФЗ
- 1770100252015000558
Поставщик
Разработка научно-технического решения, выпуск эскизной конструкторской документации и изготовление экспериментальных образцов МИС СВЧ-переключателей на SiC pin-диодах
3 декабря 2015 г.
- 44-ФЗ
- 1770100252015000559
Поставщик
Разработка научно-технических решений, эскизной конструкторской документации и изготовление экспериментальных образцов МИС СВЧ-усилителей на GaN/AlN/AlGaN транзисторных гетероструктурах
23 декабря 2014 г.
- 44-ФЗ
- 0373100076514000192
Поставщик
Выполнение прикладных научных исследований по теме: «Изготовление экспериментальных образцов элементов МИС СВЧ»
23 декабря 2014 г.
- 44-ФЗ
- 0373100076514000193
Поставщик
Выполнение прикладных научных исследований по теме: «Изготовление экспериментальных образцов многослойных полупроводниковых гетероструктур»